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Eva Catoggio. TCAD analysis of GaN FinFET structures and their parametric sensitivity. Rel. Simona Donati Guerrieri, Fabrizio Bonani. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering), 2019
Simone Molinaro. Channel analysis of high electron mobility transistors: a pathway from the density matrix to the quantum drift-diffusion approach. Rel. Simona Donati Guerrieri, Alberto Tibaldi, Francesco Bertazzi. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering), 2022
Bruno Coppolelli. Modeling of Tunnel-FETs: accurate calibration of numerical and semi-analytical models. Rel. Simona Donati Guerrieri, Alberto Tibaldi. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Nanotechnologies For Icts (Nanotecnologie Per Le Ict), 2022
Angelo Mudano'. Tight-Binding Nonequilibrium Green's Function Modeling of Tunnel Field-Effect Transistors. Rel. Alberto Tibaldi, Francesco Bertazzi, Simona Donati Guerrieri, Michele Goano. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Nanotechnologies For Icts (Nanotecnologie Per Le Ict), 2023