Questa tesi si concentra sulla caratterizzazione elettrica delle memorie ferroelettriche a base di ossido di afnio e zirconio (HZO). Lo studio si focalizza sulla definizione di protocolli che coinvolgono sequenze di segnali applicati al campione utilizzando un analizzatore di parametri Keithley 4200 e una stazione di prova. L’obiettivo era misurare la corrente e la tensione sugli elettrodi del dispositivo e analizzare i parametri relativi alle prestazioni e all’affidabilità di queste memorie. Lo scopo dello studio dei risultati era identificare la relazione tra i parametri tecnologici e le proprietà elettriche della memoria. Questa analisi era volta a determinare la combinazione ottimale di parametri per migliorare sia le prestazioni che l’affidabilità.