Evaluation of a new Si/SiGe Heterojunction Bipolar Transistor architecture in the 55 nm BiCMOS technology

BiCMOS055 di STMicroelectronics, una tecnologia BiCMOS nel nodo 55 nm, dimostra prestazioni senza eguali nei circuiti RF ed é la scelta per applicazioni allo stato dell'arte. BiCMOS055X intende migliorare queste capacità introducento la nuova architettura EXBIC per transistors bipolari. La nuova struttura presenta una epitassia del collettore intrinseco che permette di controllare precisamente la giunzione base-collettore e di intervenire liberamente sul collettore estrinseco impiantato nel substrato. Oggetto di questo lavoro, la riduzione della capacità parassita base-collettore è ottenuta aggiungendo alla struttura un Super Shallow Trench Isolation (SSTI) e tramite lo studio di tecniche di drogaggio specifiche. La possibilità di poter integrare direttamente le proposte é studiata tramite l'ausilio di simulazioni TCAD ed esperimenti su Silicio. Si presentano diverse soluzioni e si forniscono ipotesi per una futura riproduzione su Silicio. Una nuova tecnica di drogaggio tramite co-impiantazione sviluppata appositamente per questi scopi ha dimostrato risultati interessanti ma necessita di una comprensione più profonda.