Negli ultimi anni, l’introduzione di semiconduttori a wide bandgap come il carburo di silicio (SiC) e il nitruro di gallio (GaN) nei convertitori di potenza ha portato a significativi miglioramenti rispetto ai dispositivi tradizionali basati su silicio. Questi nuovi transistor consentono una riduzione delle perdite di commutazione e conduzione, un aumento della densità di potenza, migliorando l’efficienza dell’azionamento elettrico. Tuttavia, l’innalzamento delle frequenze di commutazione, reso possibile dai dispositivi SiC e GaN, ha ampliato la banda delle interferenze elettromagnetiche (EMI) generate a causa delle rapide variazioni di tensione (dV/dt). L’incremento delle frequenze di commutazione ha spostato le prime armoniche con ampiezza maggiore nella banda [150 KHz - 1 MHz], richiedendo un miglioramento delle prestazioni dei filtri EMI.