Durante questo stage sono state eseguite diverse caratterizzazioni per studiare come i cambiamenti di processo o di materiale influenzano le caratteristiche CV del transistor. E stata condotta ` una breve revisione della letteratura per evidenziare i vantaggi dell’FDSOI nei nodi tecnologici avanzati e spiegare la necessita di utilizzare materiali ad alta permettivit ` a (alto k) come ossido di ` gate. Per spiegare le misurazioni sperimentali e stato utilizzato un approccio quantistico del con- ` densatore MOS mediante risoluzione accoppiata delle equazioni di Poisson e Schrodinger. ¨ E stato ` riscontrato un buon accordo tra la simulazione e le misurazioni. L’analisi dei risultati ha mostrato una modifica dell’EOT con lo spessore della griglia TiN, con un EOT inferiore per un TiN piu` sottile.