L'ingegneria delle sollecitazioni appare come una soluzione affidabile per migliorare la mobilità dei portatori all'interno del canale delle nuove tecnologie FDSOI. La sollecitazione sul reticolo cristallino di silicio induce una modifica delle bande energetiche. Successivamente, ricercando la sollecitazione ottimale, sarebbe possibile migliorare la mobilità dei portatori riducendo la massa efficace. Sono stati studiati diversi metodi per introdurre una sollecitazione nel canale, ma ci siamo concentrati principalmente sulla tecnica del "BOX Creep". In primo luogo, questo tirocinio propone di analizzare il trasferimento di sollecitazione tra un doppio strato nel caso di un rilassamento planare unidirezionale di uno strato pre-sollecitato. Utilizzando simulazioni tramite il software Comsol, viene studiato il comportamento della sollecitazione all'interno di un canale di silicio apportato da uno strato di SiN stressato, il che porta allo sviluppo di un modello analitico per la previsione delle sollecitazioni.