Questa tesi fornisce un'indagine completa sui transistor a effetto di campo al grafene per applicazioni di biosensing, utilizzando campioni con diversi processi di fabbricazione del fornitore O e del fornitore L. Lo studio scopre l'impatto dei meccanismi di trasferimento di carica e di gating capacitivo sull'isteresi del GFET, e rivela la natura intrinseca della posizione di Dirac e la sua dipendenza dal processo di fabbricazione, indipendentemente dalla geometria del dispositivo. Utilizzando i modelli DTM e Mackin, è stata quantificata la mobilità dei portatori del grafene in ambiente atmosferico e liquido, evidenziando l'influenza dei centri di diffusione. L'analisi del rumore del GFET rivela un basso rumore di Dirac, un rumore medio del chip di 120 uV e una dominanza del rumore 1/f flicker.