Manuel Ferraro
The Role of V{DS(on)} as a TSEP: A Comparative Study of Electronic Circuit Architectures.
Rel. Fausto Stella, Gianmario Pellegrino. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Ingegneria Elettrica, 2025
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Abstract
Evaluation of Thermo-Sensitive Electrical Parameters Based on the Forward Voltage for On-line Chip Temperature Measurements of semiconductor.Negli ultimi anni, il rapido progresso tecnologico, unitamente alla necessità di concentrare elevate quantità di energia in spazi sempre più ridotti — e dunque in dispositivi ad alta densità di potenza — ha reso la gestione termica e la conseguente dissipazione del calore nei sistemi elettronici un aspetto critico. In particolare, la temperatura di giunzione dei semiconduttori in carburo di silicio (SiC) è divenuta un parametro fondamentale per una corretta progettazione, garantendo sia la sicurezza sia l’affidabilità operativa nel lungo termine nelle applicazioni di potenza.
I metodi di monitoraggio convenzionali, come i sistemi a infrarossi, forniscono una stima accurata della temperatura del case del MOSFET, ma risultano inadeguati nel consentire il monitoraggio in tempo reale della temperatura effettiva delle singole giunzioni interne
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