Nel panorama dei convertitori di potenza, i dispositivi GaN per le applicazioni a bassa tensione stanno emergendo come una valida alternativa alla consolidata tecnologia al silicio. Questi dispositivi offrono prestazioni superiori in termini di perdite e densità di potenza. In particolare, l’alta velocit`a di commutazione combinata con basse perdite consente di ridurre le dimensioni delle componenti reattive necessarie per il funzionamento degli stadi di conversione. Il lavoro di tesi si `e concentrato sullo sviluppo e la progettazione di una piattaforma di potenza con microcontrollore integrato per il test e la verifica di diverse configurazioni di inverter a 48 V da 4 kVA.