Il continuo down-scaling dei transistor ha permesso il raggiungimento di una eccezionale miniaturizzazione. Ciò ha reso la resistenza di contatto parte preponderante della resistenza parassita del dispositivo. In questa tesi si riporta la caratterizzazione layer epitassiali drogati con Fosforo, Arsenico e Co-drogati (Si:P, Si:As, Si:P:As) per NMOS S/D. La Deposizione Chimica da Vapore è stata impiegata per un processo selettivo a 670 °C e uno non-selettivo a una temperature più bassa di 450 °C. Sono state studiate le proprietà fisiche come morfologia, qualità cristallina, composizione, attivazione dei dopanti ed è stata verificata la stabilità termica sino a 700 °C. Variando la concentrazione dall' 1% al 4% sono stati esplorati scenari differenti.