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Gate drivers with an improved short circuit detection method for enhanced SiC MOSFET reliability

Federico Umberto Pertosa

Gate drivers with an improved short circuit detection method for enhanced SiC MOSFET reliability.

Rel. Francesco Musolino, Franco Maddaleno. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering), 2020

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Abstract:

Gate drivers with an improved short circuit detection method for enhanced SiC MOSFET reliability

Relatori: Francesco Musolino, Franco Maddaleno
Anno accademico: 2019/20
Tipo di pubblicazione: Elettronica
Numero di pagine: 83
Soggetti:
Corso di laurea: Corso di laurea magistrale in Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering)
Classe di laurea: Nuovo ordinamento > Laurea magistrale > LM-29 - INGEGNERIA ELETTRONICA
Ente in cotutela: Aalborg University (DANIMARCA)
Aziende collaboratrici: Aalborg University
URI: http://webthesis.biblio.polito.it/id/eprint/14544
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