I transistor ad alta mobilità elettronica AlGaN/GaN hanno mostrato, da oltre un decennio, proprietà molto interessanti per l'elettronica ad alta frequenza e ad alta potenza. Queste strutture mancano di informazioni sul loro comportamento sotto stress radiativo, cruciale per le applicazioni spaziali. Un modello TCAD in grado di rappresentare il comportamento di uno di questi componenti (la tecnologia GH-50 di UMS) è stato costruito utilizzando il programma Sentaurus di Synopsis. Utilizzando dati sperimentali, siamo stati in grado di calibrare i nostri modelli e di iniziare a formulare ipotesi sul complesso comportamento di questi sistemi. Abbiamo dimostrato che l'impatto radiativo sulla struttura può essere originato da cariche positive che rimangono intrappolate nello strato barriera di AlGaN, aumentando la densità del canale conduttores.