A causa della scalata dei transistor MOSFET negli ultimi decenni, è aumentata la richiesta di comprendere i vari fattori che influenzano la loro affidabilità. Uno di questi fattori è il rumore. In questo contesto, il presente stage si concentra sulla simulazione del rumore a bassa frequenza (LFN) e del rumore telegrafico casuale (RTN) utilizzando strumenti di simulazione TCAD (Technology Computer Aided Design) per riprodurre le misure di rumore già effettuate sui transistor MOSFET. Poiché il rumore a bassa frequenza e il rumore telegrafico casuale sono generati dalla cattura e dall'emissione di portatori di carica in trappole all'interno dell'ossido di gate e sulle interfacce, la descrizione accurata di queste trappole è fondamentale per comprendere il comportamento del rumore.