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Progettazione di un circuito di controllo della griglia in una tecnologia 180nm per gli amplificatori di potenza

Salma El Messaoudi

Progettazione di un circuito di controllo della griglia in una tecnologia 180nm per gli amplificatori di potenza.

Rel. Carlo Ricciardi. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Nanotechnologies For Icts (Nanotecnologie Per Le Ict), 2022

Abstract:

Numerosi progressi tecnologici sono stati realizzati grazie agli amplificatori di potenza. Tutti i tipi di comunicazione a lunga distanza e via satellite sono resi possibili grazie agli amplificatori di potenza che vengono utilizzati all'inizio e alla fine delle linee di trasmissione. Poiché il ruolo dell'AP è importante, dovrebbe essere assicurato il suo corretto funzionamento, in particolare la polarizzazione della griglia. I circuiti di controllo della griglia per amplificatori di potenza non sono nulla di nuovo nel settore. Tuttavia, in un'epoca in cui la semplicità, la velocità e la compattezza sono molto ricercate, è necessario avere un circuito di controllo del friglia ad alta frequenza integrato nello stesso Sip del PA. Questo stage mira a progettare un tale circuito in una tecnologia al silicio da 180nm con un'alimentazione positiva da 5V e un'alimentazione negativa da -7V a nostra disposizione. Pertanto, un circuito di controllo della griglia basato su un amplificatore operativo è progettato per funzionare fino a una frequenza di 60 MHz ed è in grado di fornire corrente sufficiente per accendere il PA in qualsiasi circostanza (diodo di griglia in conduzione). Alcuni miglioramenti possono essere ancora apportati come la generazione di una tensione di alimentazione negativa utilizzando un carico pump

Relators: Carlo Ricciardi
Academic year: 2022/23
Publication type: Electronic
Number of Pages: 58
Additional Information: Tesi secretata. Fulltext non presente
Subjects:
Corso di laurea: Corso di laurea magistrale in Nanotechnologies For Icts (Nanotecnologie Per Le Ict)
Classe di laurea: New organization > Master science > LM-29 - ELECTRONIC ENGINEERING
Aziende collaboratrici: United monolithic semiconductors
URI: http://webthesis.biblio.polito.it/id/eprint/24796
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