Il fosfuro di zinco (Zn3P2) è un promettente e abbondante materiale, ottimo candidato per applicazioni fotovoltaiche in quanto dispone di band gap diretto, grande lunghezza di diffusione dei portatori minoritari e alto coefficiente di assorbimento. Nonostante queste interessanti caratteristiche, le sue proprietà elettriche non sono ancora ben definite in letteratura: questo ostacola la fabbricazione di una cella solare in grado di raggiungere l’efficienza teorica del 30% data dal limite di Schockley-Quesisser. Lo scopo di questa tesi è investigare film sottili di Zn3P2 cresciuti con molecular beam epitaxy attraverso varie tecniche per estrarne i parametri principali (resistività, concentrazione dei portatori, mobilità). I metodi adottati comprendono TLM e C-V profiling, assieme ad analisi SIMS.