I dispositivi quantistici in silicio sono considerati tra le architetture più promettenti nell’ambito della computazione quantistica. Infatti, non solo permettono un’eccellente miniaturizzazione, ma sono anche compatibili con la tecnologia sviluppata presso i laboratori del CEA-Leti. La tesi è incentrata sullo studio di una struttura in silicio specifica, denominata “dispositivo a split-gate”. Dispositivi con lunghezze di gate differenti sono stati caratterizzati e confrontati. In particolare, il lavoro qui presentato si focalizza su misure di trasporto di elettroni effettuate a temperature criogeniche su un ampio numero di dispositivi. Le caratterizzazioni sono state realizzate su una nuova probe station, disponibile presso i laboratori del CEA-Leti, che permette di raggiungere una temperatura pari a 900 mK.