I semiconduttori caratterizzati da un’ampia banda proibita, come il GaN, sono eccellenti candidati per sostituire il silicio (Si) soprattutto nella realizzazione dispositivi elettronici di potenza. Il GaN è caratterizzato da una banda proibita ad energia molto elevata e un campo elettrico critico che rende i dispositivi a base di GaN superiori alle loro controparti a base di Si. Inoltre i wafer di silicio sono un'interessante alternativa ai substrati caratterizzati da uno strato nativo di GaN, al fine di realizzare strutture verticali a base di GaN, dovuto, soprattutto, alla loro ridotta epitassia e ridotto costo dei wafer. Questo studio si concentra sull’analisi della crescita epitassiale del GaN su Si attraverso l’esaminazione di maschere fatte con tre diversi materiali (SiO2, SiN, Al2O3).