Il ridimensionamento della cella di memoria è l'obiettivo di spingere ulteriormente ogni giorno la ricerca. Per raggiungere questo obiettivo le principali alternative sono utilizzare transistor sempre più piccoli o innovare sul tipo di memoria utilizzata. Tra i diversi tipi di memorie dinamiche ad accesso casuale (DRAM), la DRAM incorporata a celle di guadagno (GC-eDRAM) è una memoria basata su celle più compatte rispetto alla DRAM convenzionale pur essendo a basso consumo e compatibile con CMOS. Il principale vantaggio di questo tipo di cella di memoria sono le sue ridotte dimensioni, infatti può essere implementato con solo due transistor. La compatibilità CMOS consente a questa memoria di ridimensionarsi con la nuova innovazione realizzata sulla tecnologia dei transistor.