Tarcisius Emilien Ernest Marie Januel
3D Sequential integration for high density sensing applications.
Rel. Carlo Ricciardi. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Nanotechnologies For Icts (Nanotecnologie Per Le Ict), 2020
Abstract
L’integrazione sequenziale 3D (3DSI) è un metodo di stratificazione per implementare circuiti altamente miniaturizzati. La legge More Than Moore considera la 3DSI come un buon candidato per futuri miglioramenti dell’integrazione eterogenea. In effetti, siccome l’allineamento litografico può essere realizzato in 3DSI, una maggiore densità di contatto 3D può essere ottenuta rispetto ad altre tecnologie 3D. Questa riduzione di area può essere d’aiuto nello sviluppo di pixels miniaturizzati. Una soluzione è costruire un array di fotodiodi sullo strato inferiore e implementare un layer analogico sullo strato superiore, così da interfacciare il segnale. Ogni pixel miniaturizzato controlla un fotodiodo. Al fine di costruire un imager CMOS, è necessario sviluppare uno switch FDSOI analogico in PMOS, così da minimizzare le correnti di perdita.
La scelta di FDSOI-transistor si basa sull’abilità del SOI di essere trasferito e allineato dalla litografia
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