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Study and design of inductive isolation data channel in active silicon die back-end

Filippo Canale

Study and design of inductive isolation data channel in active silicon die back-end.

Rel. Fabio Pareschi, Nicola Bertoni, Giacomo Calabrese. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering), 2025

Abstract:

Study and design of inductive isolation data channel in active silicon die back-end

Relatori: Fabio Pareschi, Nicola Bertoni, Giacomo Calabrese
Anno accademico: 2025/26
Tipo di pubblicazione: Elettronica
Numero di pagine: 188
Informazioni aggiuntive: Tesi secretata. Fulltext non presente
Soggetti:
Corso di laurea: Corso di laurea magistrale in Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering)
Classe di laurea: Nuovo ordinamento > Laurea magistrale > LM-29 - INGEGNERIA ELETTRONICA
Aziende collaboratrici: Texas Instruments Deutschland GmbH
URI: http://webthesis.biblio.polito.it/id/eprint/37634
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