Luca Serafini
Design of highly efficient Doherty PAs for C-band applications in GaN-Si HEMT technology = Design of highly efficient Doherty-PAs for C-band applications in GaN-Si HEMT technology.
Rel. Anna Piacibello, Vittorio Camarchia, Mustazar Iqbal. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering), 2025
Abstract
Questa tesi presenta quattro progetti Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) GaN-Si Doherty Power Amplifier (DPA): due stadi finali e due configurazioni con single-driver. Lo scopo di questo lavoro è confrontare, a livello di simulazione, le performance di due ben note topologie di combinatori di potenza dei DPA, implementati in RF power-design ad alta efficienza comparabili. Per ogni combinatore saranno presentati uno stadio finale e una configurazione single-driver. Per ottenere confronti significativi tra i diversi circuiti, tutti condividono le stesse specifiche di progetto in termini di Bandwidth (BW) e Output Power Back-Off (OBO). La BW considerata è di 600 MHz con frequenza centrale di f0 = 7 GHz, OBO di 8,5 dB e potenza d'uscita saturata di 41,5 dBm.
Questi progetti sono destinati alla next generation 5G massive MIMO base stations e applicazioni Wi-Fi nelle nuove e impegnative bande a 7 GHz, come dettagliato in diversi studi sia a livello accademico che industriale
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