Caratterizzazione elettrica e analisi di memorie a base di ossido di zirconio e di afnio = Electrical characterisation and analysis of memories based on hafnium zirconium oxide

Questa tesi si concentra sulla caratterizzazione elettrica delle memorie ferroelettriche a base di ossido di afnio e zirconio (HZO). Lo studio si focalizza sulla definizione di protocolli che coinvolgono sequenze di segnali applicati al campione utilizzando un analizzatore di parametri Keithley 4200 e una stazione di prova. L’obiettivo era misurare la corrente e la tensione sugli elettrodi del dispositivo e analizzare i parametri relativi alle prestazioni e all’affidabilità di queste memorie. Lo scopo dello studio dei risultati era identificare la relazione tra i parametri tecnologici e le proprietà elettriche della memoria. Questa analisi era volta a determinare la combinazione ottimale di parametri per migliorare sia le prestazioni che l’affidabilità. Un aspetto chiave di questa ricerca è stato lo studio dettagliato del fenomeno dell’imprint, che influisce significativamente sull’affidabilità del dispositivo. I nostri risultati contribuiscono a una comprensione più approfondita del comportamento delle memorie ferroelettriche basate su HZO, fornendo spunti su come aumentare la loro stabilità operativa e l’efficienza. Questo lavoro rappresenta un contributo allo sviluppo e al progresso della tecnologia delle memorie ferroelettriche.