TCAD simulations of single transistor attacks through X-rays
Alessio Solazzi
TCAD simulations of single transistor attacks through X-rays.
Rel. Carlo Ricciardi. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Ingegneria Dei Materiali Per L'Industria 4.0, 2024
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Abstract
Il continuo miglioramento delle misure di sicurezza informatica volte a proteggere i dispositivi da attacchi esterni rende indispensabile lo studio di nuovi approcci in grado di eluderli. La metodologia del “fault injection”, che consiste nell’introduzione sistematica di errori a livello software o hardware per estrarre informazioni sensibili, ha recentemente guadagnato popolarità grazie alla sua natura non invasiva. Tra le numerose tecniche adottate, gli attacchi hardware con raggi X hanno mostrato risultati promettenti grazie alla possibilità di focalizzare il fascio su scala nanometrica, permettendo di colpire specificamente i singoli transistor contenuti nei circuiti. Questa tipologia di attacchi è attualmente oggetto di ricerca presso il dipartimento di Cybersecurity del Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) di Grenoble, dove è stata svolta la presente Tesi.
In particolare, la Tesi si concentra sull’utilizzo della radiazione di sincrotrone e di tomografo per alterare specifici transistor contenuti nelle memorie Flash e SRAM, al fine di aggirare le loro misure di sicurezza
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