Caratterizzazione di film sottili di SiO2 e di Silicio policristallino depositati mediante tecniche CVD.

Il notevole progresso nel settore elettronico è indiscutibilmente legato all'utilizzo del Silicio. In Europa, un protagonista di rilievo nella produzione di Silicio, sotto forma di wafer con un diametro di 200 mm, è la M.E.M.C Electronic Material S.p.a, appartenente al gruppo taiwanese GlobalWafers, con sede nelle zone del Novarese, in Italia. Questa azienda si dedica all'intero ciclo di produzione, rifinitura e commercializzazione del semiconduttore, svolgendo un ruolo chiave a livello mondiale. Questo lavoro di tesi nasce dalla volontà dell’azienda di approfondire ed investigare alcune delle proprietà dei loro prodotti. L’obiettivo è comprendere l’effetto di alcuni parametri di processo sulle proprietà chimico/fisiche dei film depositati sulla superficie dei wafer, cercando di capire se, una particolare configurazione, possa permettere l’ottenimento di una resa produttiva maggiore di quella attuale. Ciò di cui sarà oggetto il contenuto di questo studio sarà: la produzione di film sottili di ossido di silicio e silicio policristallino, uno studio sulle le tecniche di deposizione utilizzate e sulle applicazioni che giustificano la loro deposizione nel “backside” del wafer di silicio, una caratterizzazione in laboratorio dei film prodotti, per analizzare alcune proprietà e monitorando, se presenti, variazioni dovute alle modifiche dei parametri di deposizione. Il seguente lavoro di tesi verrà suddiviso in 3 capitoli: •??Nel primo capitolo verranno descritti i materiali costituenti i film sottili depositati, le loro proprietà e le loro applicazioni. Verranno descritte anche le tecniche di deposizioni tipiche dei layer in questione, comprese le tecniche utilizzate per la preparazione dei campioni. •??Nel secondo capitolo verranno descritte le fasi di produzione interne all’azienda che portano alla produzione dei film e saranno descritte dal punto di vista fisico le tecniche di caratterizzazione utilizzate. •??Nel terzo ed ultimo capitolo verranno riportati, con annessi commenti e deduzioni, i risultati delle analisi effettuate e le conclusioni derivate.