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Caractérisation de dispositifs haute tension fabriqués à basse température en vue d’une intégration 3D séquentielle

Nada Zerhouni Abdou

Caractérisation de dispositifs haute tension fabriqués à basse température en vue d’une intégration 3D séquentielle.

Rel. Carlo Ricciardi. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Nanotechnologies For Icts (Nanotecnologie Per Le Ict), 2021

Abstract:

Electrical characterization of high voltL'integrazione 3D sequenziale è una delle soluzioni che aumentano la densità dei circuiti elettronici impilandoli verticalmente senza la necessità di miniaturizzazione. Questa soluzione permette di ottenere un'elevata densità di interconnessioni grazie alla precisione del suo allineamento litografico ma richiederà la realizzazione del livello superiore a basso budget termico per non degradare il livello inferiore. Utilizzando transistor FDSOI prodotti a bassa temperatura, CEA-Leti è un pioniere in questa tecnologia. In questo progetto di fine studi sono mirate applicazioni eterogenee costituite da uno stack di dispositivi ad alta tensione con altri tipi di dispositivi. Nel contesto della produzione a bassa temperatura, lo stack di griglia è la parte particolarmente critica. Pertanto, vengono testate tecniche innovative e diverse varianti del processo di fabbricazione al fine di migliorare la qualità dell'impilamento dei gate e l'affidabilità dei transistor. Utilizzando i dati delle misurazioni elettriche e lo strumento di modellazione matematica di Mathcad, vengono estratti i parametri critici, consentendo la caratterizzazione di pile di reti ad alta tensione fabbricate a basse temperature. Dai risultati analizzati vengono confrontate le diverse varianti tecnologiche e valutata l'affidabilità dei componenti.age FDSOI transistors manufactured by a cold process for a 3D sequential integration purpose

Relatori: Carlo Ricciardi
Anno accademico: 2021/22
Tipo di pubblicazione: Elettronica
Numero di pagine: 38
Informazioni aggiuntive: Tesi secretata. Fulltext non presente
Soggetti:
Corso di laurea: Corso di laurea magistrale in Nanotechnologies For Icts (Nanotecnologie Per Le Ict)
Classe di laurea: Nuovo ordinamento > Laurea magistrale > LM-29 - INGEGNERIA ELETTRONICA
Aziende collaboratrici: CEA-SPINTEC
URI: http://webthesis.biblio.polito.it/id/eprint/20635
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