Simulation and characterization of fully depleted transistors on SOI

L'integrazione 3D sequenziale consente di ottenere densità elevate. Nelle applicazioni di imager/sensori 3D, un fotodiodo o SPAD è integrato nello stadio inferiore, mentre il circuito di lettura, che è grande e ha più transistor, è integrato nello stadio superiore. La sfida di questo tipo di integrazione è generalmente quella di limitare il budget termico, in modo da non arrecare danni ai piani inferiori. La simulazione TCAD, che è stata fatta nel mio stage con il software Sentaurus, permette di simulare prima il flusso del processo, passo dopo passo per generare la struttura, poi di caratterizzarlo elettricamente in un secondo passo, includendo i modelli fisici e definendo le polarizzazioni. Il TCAD consente di verificare e analizzare i risultati sperimentali e di identificare l'origine dei risultati a volte aberranti. Anche il TCAD deve essere calibrato, utilizzando dati sperimentali, per migliorare la qualità della previsione dei risultati. Il TCAD consente inoltre di studiare i fenomeni fisici che avvengono a livello di dispositivo (effetti di substrato flottante, ad esempio) e di analizzarli utilizzando sezioni trasversali di potenziali e densità di portatori. Ciò consentirà in seguito di trovare un metodo sperimentale per verificare la presenza degli effetti in questione e per quantificarli.