Il presente documento riporta i risultati della ricerca condotta presso Thales Research & Technology nell’ambito di uno stage M2. Esso tratta della crescita epitassiale dei dicalcogenuri di metalli di transizione - WSe2, PtSe2 e PtTe2 - su substrati di zaffiro vicinale mediante epitassia a fascio molecolare (MBE). Questi materiali bidimensionali vantano una serie di proprietà interessanti, quali strutture di banda sintonizzabili ed elevata mobilità dei portatori, che li rendono particolarmente attraenti per dispositivi elettronici e optoelettronici avanzati. Il lavoro inizia con una revisione delle strutture cristalline, delle proprietà e delle tecniche di sintesi dei TMD, evidenziando la capacità dell’MBE di fornire film su scala wafer di eccezionale purezza e cristallinità.