polito.it
Politecnico di Torino (logo)

Investigation of well doping and mobility parameters down to cryogenic temperatures with L-UTSOI model: electrical measurements and parameter extractions

Andrea Petruso

Investigation of well doping and mobility parameters down to cryogenic temperatures with L-UTSOI model: electrical measurements and parameter extractions.

Rel. Gianluca Piccinini. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering), 2024

[img] PDF (Tesi_di_laurea) - Tesi
Accesso riservato a: Solo utenti staff fino al 13 Dicembre 2025 (data di embargo).
Licenza: Creative Commons Attribution Non-commercial No Derivatives.

Download (6MB)
Abstract:

Characterization and modeling of FD-SOI transistor at cryogenic temperatures

Relatori: Gianluca Piccinini
Anno accademico: 2024/25
Tipo di pubblicazione: Elettronica
Numero di pagine: 61
Soggetti:
Corso di laurea: Corso di laurea magistrale in Ingegneria Elettronica (Electronic Engineering)
Classe di laurea: Nuovo ordinamento > Laurea magistrale > LM-29 - INGEGNERIA ELETTRONICA
Aziende collaboratrici: CEA Grenoble
URI: http://webthesis.biblio.polito.it/id/eprint/34049
Modifica (riservato agli operatori) Modifica (riservato agli operatori)