Ottimizzazione dei trattamenti post-etching per eliminare i residui metallici nel BEOL = Optimisation of post etch treatments (PET) to eliminate metal residues in BEOL

Questa relazione di stage si concentra sull'ottimizzazione dei trattamenti post-etching per eliminare i residui metallici sulle maschere rigide in nitruro di titanio (TiN) nel campo della microelettronica. Svolto presso la STMicroelectronics a Crolles in Francia, l'obiettivo di questo stage è stato quello di comprendere i meccanismi di formazione di questi residui e di studiare diversi trattamenti di post-etching (PET) per migliorare la qualità e l'affidabilità dei circuiti integrati. La ricerca ha previsto diverse fasi sperimentali, tra cui l'analisi delle tecniche di etching e l'efficacia dei trattamenti PET, come i plasmi a base di CH4, N2 e CO e due bi-PET, N2+CH4 e N2+CO. I risultati hanno dimostrato che i trattamenti del PET a base di N2 e N2+CO sono efficaci nel limitare i residui. Lo studio è stato condotto in collaborazione con il CEA-Leti di Grenoble in Francia, utilizzando attrezzature all'avanguardia per la caratterizzazione delle superfici, tra cui la microscopia elettronica a scansione (SEM), la spettroscopia fotoelettrica a raggi X (XPS) e la microscopia a forza atomica (AFM).