polito.it
Politecnico di Torino (logo)

Coupling control in Si-MOS quantum dots

Victor Pierre Bernard Millory

Coupling control in Si-MOS quantum dots.

Rel. Carlo Ricciardi. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Nanotechnologies For Icts (Nanotecnologie Per Le Ict), 2021

[img]
Preview
PDF (Tesi_di_laurea) - Tesi
Licenza: Creative Commons Attribution Non-commercial No Derivatives.

Download (17MB) | Preview
Abstract:

Le crescenti richieste di una fattibile implementazione del qubit, dettata dai criteri di DiVincenzo, dimostra la difficoltà dello sviluppo del qubit. Tra le differenti architetture possibili, la recente implementazione in CMOS promette un alta capacità d'integrazione grazie alla conoscenza acquisita nel campo della microelettronica. Tuttavia, la transizione dalla tecnologia GaAs a quella CMOS non avviene senza un costo. Una migliore integrazione vede la perdita del controllo di accoppiamento tra le scatole quantiche adiacenti, necessario ad assicurare un funzionamento ad un regime ottimale e assicurare una accurata lettura degli stati presenti. Il documento presenta un processo di fabbricazione delle porte di scambio che permettono il controllo dell'accoppiamento. Anche se nessun dispositivo completamente funzionale è stato ancora prodotto, il processo di fabbricazione sperimentato si è rivelato promettente, poiché la gran parte delle ostacoli legati alla manifattura sono stati superati.

Relatori: Carlo Ricciardi
Anno accademico: 2021/22
Tipo di pubblicazione: Elettronica
Numero di pagine: 46
Soggetti:
Corso di laurea: Corso di laurea magistrale in Nanotechnologies For Icts (Nanotecnologie Per Le Ict)
Classe di laurea: Nuovo ordinamento > Laurea magistrale > LM-29 - INGEGNERIA ELETTRONICA
Aziende collaboratrici: NON SPECIFICATO
URI: http://webthesis.biblio.polito.it/id/eprint/20631
Modifica (riservato agli operatori) Modifica (riservato agli operatori)