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Trapping and manipulating dipolar excitons in two-dimensional lattices of GaAs bilayer

Marco Bacilieri

Trapping and manipulating dipolar excitons in two-dimensional lattices of GaAs bilayer.

Rel. Carlo Ricciardi. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Nanotechnologies For Icts (Nanotecnologie Per Le Ict), 2020

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Abstract:

Realization, characterization of bilayer heterostructures for the confinement of spatially indirect excitons at very low temperature

Relatori: Carlo Ricciardi
Anno accademico: 2020/21
Tipo di pubblicazione: Elettronica
Numero di pagine: 35
Soggetti:
Corso di laurea: Corso di laurea magistrale in Nanotechnologies For Icts (Nanotecnologie Per Le Ict)
Classe di laurea: Nuovo ordinamento > Laurea magistrale > LM-29 - INGEGNERIA ELETTRONICA
Ente in cotutela: Universite de Paris 7- Denis Diderot (FRANCIA)
Aziende collaboratrici: Sorbonne Universita
URI: http://webthesis.biblio.polito.it/id/eprint/16718
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