Thin samples preparation for the TEM characterization of materials for microelectronics

Preparazione di campioni sottili per la caratterizzazione TEM di materiali per la microelettronica : L'analisi dei dispositivi microelettronici richiede l'utilizzo del microscopio elettronico a trasmissione (TEM). La preparazione del campione più adatta utilizza un Dual Beam. Tuttavia, l'uso di un fascio ionico tende a lasciare artefatti sulla lamella: amorfizzazione, cambiamento di fase, distruzione parziale. Per componenti comuni, come il silicio, questi artefatti sono già stati ampiamente studiati. Tuttavia, nel caso di materiali meno comuni, come GexSbyTez (GST), è necessario uno studio approfondito. Al fine di determinare sia l'effetto dello spessore della lamella che dell'energia di accelerazione del fascio ionico, viene realizzata una lamella a forma smussata con differenti energie di assottigliamento. In seguito, viene eseguito il suo taglio trasversale. Entrambe le lamelle vengono analizzate da TEM, EDX, ASTAR e EELS. Validato dapprima grazie alle misure sul silicio, il protocollo viene poi applicato al GST arricchito con germanio . Il GST viene completamente amorfizzato su uno strato di pochi nanometri. Lo spessore dei materiali trattati dipende direttamente dall'energia del fascio ionico, diminuendo con essa. Nel caso di un fascio radente da 30 keV, si sono ottenuti risultati sperimentali confrontabili con quelli ottenuti con la simulazione SRIM.