Preparazione di campioni sottili per la caratterizzazione TEM di materiali per la microelettronica : L'analisi dei dispositivi microelettronici richiede l'utilizzo del microscopio elettronico a trasmissione (TEM). La preparazione del campione più adatta utilizza un Dual Beam. Tuttavia, l'uso di un fascio ionico tende a lasciare artefatti sulla lamella: amorfizzazione, cambiamento di fase, distruzione parziale. Per componenti comuni, come il silicio, questi artefatti sono già stati ampiamente studiati. Tuttavia, nel caso di materiali meno comuni, come GexSbyTez (GST), è necessario uno studio approfondito. Al fine di determinare sia l'effetto dello spessore della lamella che dell'energia di accelerazione del fascio ionico, viene realizzata una lamella a forma smussata con differenti energie di assottigliamento.