Technologia innovativa 3D di un dispositivo di memoria non volatile per In-Memory Computing = Innovative 3D Technology of a nonvolatile memory cell for In-Memory-Computing

L’IMC rappresenterà una rivoluzione per le performances dei future sistemi di computing. L’obiettivo del progetto My-CUBE è di fabbricare un chip IMC integrando un hardware innovativo a livello dei dispositivi. Durante questo stage è stato condotto lo studio di un nuovo dispositivo composto dall’integrazione di un Gate-All-Around Nanowire FET (GAA-NWFET) e una Resistive Random Access Memorie (RRAM). Il maggior impedimento alla co-integrazione di queste due technologie in My-Cube è la corrente di programmazione della RRAM. Di seguito è presentata l’ottimizzazione della funzionalità delle RRAMs a bassa corrente di programmazione e le performances dei NWFETs ad alte tensioni di alimentazione. Lo studio esplora anche nuove opzioni di design per migliorare le operazioni di scouting logic, come il double coding. Infine, la capacità di IMC del futuro My-Cube chip viene valutata nelle nuove condizioni operative. Questo lavoro valida la co-integrazione delle technologie RRAM/GAANWFET nonostante siano necessari ulteriori miglioramenti per raggiungere maggiori performances dell’IMC.