Optimization of bipolar transistors in BiCMOS 0.13µm technology

Questo documento è stato realizzato a partire dal lavoro svolto sull’ottimizzazione di una nuova tecnologia BiCMOS con nodo a 0,13_m. Questa tecnologia, chiamata B9A, è stata sviluppata per applicazioni analogiche. All’interno di questa tecnologia è proposto un modulo transistor bipolare PNP. L’obiettivo di questo stage è focalizzato sul miglioramento delle performances di questo transistore. Per raggiungere questo obiettivo, il lavoro è stato suddiviso in tre fasi principali. In primo luogo, uno studio teorico sul funzionamento fisico et elettrico del transistor unito ai processi di fabbricazione è stato svolto. Inseguito, uno studio sull’ottimizzazione delle caratteristiche elettriche del transistor PNP è stato ripartito in un miglioramento estrinseco modulando il dopaggio ed uno intrinseco tramite miglioramento del profilo verticale del transistor. Infine, uno studio è stato condotto su un problema specifico del processo legato alla presenza di vuoti nella griglia dei transistori MOS. Attraverso uno studio teorico e applicando i miglioramenti su questo soggetto ispirati da tecnologie simili, un lotto è stato inviato in produzione con l’obiettivo di risolvere il problema dei vuoti migliorando la co-integrazione bipolare/MOS.