Politecnico di Torino
Master's degree in Nanotechnologies for ICTs
Vertical JLNT TCAD modeling and performance evaluation
2023 Alessandro Bugliarelli

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Il lavoro è diviso in sottocartelle che seguono l'ordine in cui vengono presentati i risultati nella tesi. Ciascuna sottocartella contiene i modelli TCAD che sono stati creati per studiare ciascuna sezione. Si nota che le cartelle con numerazione più alta ereditano le caratteristiche dalle precedenti, in modo da partire da un modello pulito e arrivare ad un modello completo e calibrato. Le sottocartelle contengono:

00: studio preliminare sul doping. Non è stato utilizzato perchè gli studi sono stati svolti su GTS Framework.

01:	dispositivi con contatti ideali

02:	dispositivi con contatti Schottky simulati con Varahramyan

03:	dispositivi con contatti Schottky simulati con TE + FE

04:	aggiunta di livelli trappola a interfaccia Si/Ox. Si utilizzano livelli trappola con energia costante e distribuita secondo Gaussiana

05:	aggiunta di band to band tunneling con modello di Hurkx. Le cartelle 'b27 NM' in 03, 04 e 05 hanno stesso setup di '27 NM' ma sweep di VG va da -1.6 V a 0.5 V e non viceversa, e viene simulato dispositivo solo a VD = -1.1 V. Questo per poter osservare il dispositivo a VG = 0.5 V e VD = -1.1 V su svisual.

06:	prove su diversi valori di velocity saturation (kv)

07:	prove su diversi valori di mobilità (ku)

08:	estrazione di capacità parassite

09:	simulazione di un inverter pMOS. Caratteristica statica

10:	simulazione di un inverter pMOS. Transitorio

11:	simulazione di ring oscillator a 5 stadi. Caratteristica statica

12:	simulazione di ring oscillator a 5 stadi. Transitorio

A1: script MATLAB usati per plot e estrazione parametri
