Josephine Chabert
Optimization of bipolar transistors in BiCMOS 0.13µm technology.
Rel. Carlo Ricciardi. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Nanotechnologies For Icts (Nanotecnologie Per Le Ict), 2019
Abstract: |
Questo documento è stato realizzato a partire dal lavoro svolto sull’ottimizzazione di una nuova tecnologia BiCMOS con nodo a 0,13_m. Questa tecnologia, chiamata B9A, è stata sviluppata per applicazioni analogiche. All’interno di questa tecnologia è proposto un modulo transistor bipolare PNP. L’obiettivo di questo stage è focalizzato sul miglioramento delle performances di questo transistore. Per raggiungere questo obiettivo, il lavoro è stato suddiviso in tre fasi principali. In primo luogo, uno studio teorico sul funzionamento fisico et elettrico del transistor unito ai processi di fabbricazione è stato svolto. Inseguito, uno studio sull’ottimizzazione delle caratteristiche elettriche del transistor PNP è stato ripartito in un miglioramento estrinseco modulando il dopaggio ed uno intrinseco tramite miglioramento del profilo verticale del transistor. Infine, uno studio è stato condotto su un problema specifico del processo legato alla presenza di vuoti nella griglia dei transistori MOS. Attraverso uno studio teorico e applicando i miglioramenti su questo soggetto ispirati da tecnologie simili, un lotto è stato inviato in produzione con l’obiettivo di risolvere il problema dei vuoti migliorando la co-integrazione bipolare/MOS. |
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Relators: | Carlo Ricciardi |
Academic year: | 2019/20 |
Publication type: | Electronic |
Number of Pages: | 59 |
Additional Information: | Tesi secretata. Fulltext non presente |
Subjects: | |
Corso di laurea: | Corso di laurea magistrale in Nanotechnologies For Icts (Nanotecnologie Per Le Ict) |
Classe di laurea: | New organization > Master science > LM-29 - ELECTRONIC ENGINEERING |
Aziende collaboratrici: | STMicroelectronics |
URI: | http://webthesis.biblio.polito.it/id/eprint/18720 |
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