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Optimization of bipolar transistors in BiCMOS 0.13µm technology

Josephine Chabert

Optimization of bipolar transistors in BiCMOS 0.13µm technology.

Rel. Carlo Ricciardi. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Nanotechnologies For Icts (Nanotecnologie Per Le Ict), 2019

Abstract:

Questo documento è stato realizzato a partire dal lavoro svolto sull’ottimizzazione di una nuova tecnologia BiCMOS con nodo a 0,13_m. Questa tecnologia, chiamata B9A, è stata sviluppata per applicazioni analogiche. All’interno di questa tecnologia è proposto un modulo transistor bipolare PNP. L’obiettivo di questo stage è focalizzato sul miglioramento delle performances di questo transistore. Per raggiungere questo obiettivo, il lavoro è stato suddiviso in tre fasi principali. In primo luogo, uno studio teorico sul funzionamento fisico et elettrico del transistor unito ai processi di fabbricazione è stato svolto. Inseguito, uno studio sull’ottimizzazione delle caratteristiche elettriche del transistor PNP è stato ripartito in un miglioramento estrinseco modulando il dopaggio ed uno intrinseco tramite miglioramento del profilo verticale del transistor. Infine, uno studio è stato condotto su un problema specifico del processo legato alla presenza di vuoti nella griglia dei transistori MOS. Attraverso uno studio teorico e applicando i miglioramenti su questo soggetto ispirati da tecnologie simili, un lotto è stato inviato in produzione con l’obiettivo di risolvere il problema dei vuoti migliorando la co-integrazione bipolare/MOS.

Relators: Carlo Ricciardi
Academic year: 2019/20
Publication type: Electronic
Number of Pages: 59
Additional Information: Tesi secretata. Fulltext non presente
Subjects:
Corso di laurea: Corso di laurea magistrale in Nanotechnologies For Icts (Nanotecnologie Per Le Ict)
Classe di laurea: New organization > Master science > LM-29 - ELECTRONIC ENGINEERING
Aziende collaboratrici: STMicroelectronics
URI: http://webthesis.biblio.polito.it/id/eprint/18720
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