
Alexy Darien Kouate Fongho
Optimization from C-Band to O-Band of a Deep-To-Shallow.
Rel. Carlo Ricciardi. Politecnico di Torino, Corso di laurea magistrale in Nanotechnologies For Icts (Nanotecnologie Per Le Ict), 2025
Abstract: |
Nei prossimi anni, la capacità di archiviare i dati diventerà una questione sempre più preoccupante per gli attori tecnologici. Infatti, l'Intelligenza Artificiale si sta sviluppando, i Cloud si stanno espandendo, la velocità delle reti mobili e di internet sta aumentando con nuovi mezzi di comunicazione, e a causa di tutti questi fatti, le esigenze dei Data Center stanno crescendo sempre di più. Per affrontare questo, Smart Photonics ha deciso di sviluppare il suo nuovo Process Design Kit per essere funzionale sulla banda O [1260nm; 1360nm], che offre migliori prestazioni per alte velocità di trasmissione e grandi volumi di dati, adattando i suoi componenti esistenti e funzionali sulla banda C [1530 nm; 1560nm]. L'obiettivo è quindi di ampliare l'offerta di PDK di Smart Photonics e anche di posizionarsi sulle esigenze del mercato in espansione che saranno i componenti in banda O per i Data Center. Durante questo Master Thesos, è stata effettuata la transizione del modello Lumerical Deep-to-Shallow dalla banda C alla banda O e l'ottimizzazione della sua lunghezza e larghezza grazie alle simulazioni FDE e EME. I valori ottimali scelti sono stati 3,9 µm e 31,5 µm rispettivamente per la larghezza e la lunghezza. A seguito di queste ottimizzazioni, è stato effettuato un DOE a risposta superficiale per ottenere l'influenza di ciascun parametro sulla sovrapposizione, evidenziando l'impatto significativo della profondità dell'incisione superficiale. Il DOE ha anche fornito un'equazione della sovrapposizione tra i primi modi in funzione dei parametri Deep-to-Shallow predefiniti dal team R&D. Infine, le simulazioni Monte Carlo utilizzando Minitab Workspaces hanno permesso di osservare che la capacità di fabbricare un tale Deep-To-Shallow non era ancora ottimale, poiché i valori di Cpk ottenuti erano troppo bassi rispetto agli standard dell'industria. Tuttavia, l'analisi dei risultati ha permesso di rendersi conto che ridurre la deviazione standard dei valori della profondità dell'incisione superficiale potrebbe permettere di ottenere valori di Cpk adeguati. |
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Relatori: | Carlo Ricciardi |
Anno accademico: | 2024/25 |
Tipo di pubblicazione: | Elettronica |
Numero di pagine: | 42 |
Informazioni aggiuntive: | Tesi secretata. Fulltext non presente |
Soggetti: | |
Corso di laurea: | Corso di laurea magistrale in Nanotechnologies For Icts (Nanotecnologie Per Le Ict) |
Classe di laurea: | Nuovo ordinamento > Laurea magistrale > LM-29 - INGEGNERIA ELETTRONICA |
Aziende collaboratrici: | NON SPECIFICATO |
URI: | http://webthesis.biblio.polito.it/id/eprint/35420 |
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